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OPERAÇÕES DE LEITURA E GRAVAÇÃO
O código de endereço escolhe um dos registradores do chip de memória para ser lido ou escrito. Para ler o conteúdo de um registrador selecionado, a entrada de READ/WRITE (R/W) e a de Seleção de Chip (CS) devem estar em nível lógico 1. A combinação de R/W=1 e CS=1 habilita os buffers de saída, de modo que o conteúdo de um determinado registrador aparecerá nas quatro linhas de saída.
Para escrever uma nova palavra em um registrador selecionado, é necessário que R/W esteja em 0 e CS em 1. Esta combinação habilita os buffers de entrada, fazendo com que a palavra aplicada na entrada seja escrita no registrador selecionado. A realização de uma operação de escrita destrói o conteúdo armazenado anteriormente no registrador selecionado.
CLASSIFICAÇÃO DAS RAM’s QUANTO A TECNOLOGIA
RAMs Dinâmicas (DRAM)
São fabricadas usando a tecnologia MOS, alta capacidade de armazenamento, baixo consumo de energia e velocidade de operação moderada. Armazenam 1s e 0s como cargas de microcapacitores MOS, tipicamente de poucos picofarads. Em função da tendência destes capacitores se descarregarem após decorrido tempo, as RAMs dinâmicas necessitam de recarga periódica das células de memória, operação está denominada refresh da DRAM. Cada célula precisa ser recarregada decorridos de 2 a 10ms, ou a informação nela armazenada será perdida. A DRAM está dividida em:
Leitura
O código de endereço escolhe um dos registradores do chip de memória para ser lido ou escrito. Para ler o conteúdo de um registrador selecionado, a entrada de READ/WRITE (R/W) e a de Seleção de Chip (CS) devem estar em nível lógico 1. A combinação de R/W=1 e CS=1 habilita os buffers de saída, de modo que o conteúdo de um determinado registrador aparecerá nas quatro linhas de saída.
Gravação
Para escrever uma nova palavra em um registrador selecionado, é necessário que R/W esteja em 0 e CS em 1. Esta combinação habilita os buffers de entrada, fazendo com que a palavra aplicada na entrada seja escrita no registrador selecionado. A realização de uma operação de escrita destrói o conteúdo armazenado anteriormente no registrador selecionado.
CLASSIFICAÇÃO DAS RAM’s QUANTO A TECNOLOGIA
RAMs Dinâmicas (DRAM)
São fabricadas usando a tecnologia MOS, alta capacidade de armazenamento, baixo consumo de energia e velocidade de operação moderada. Armazenam 1s e 0s como cargas de microcapacitores MOS, tipicamente de poucos picofarads. Em função da tendência destes capacitores se descarregarem após decorrido tempo, as RAMs dinâmicas necessitam de recarga periódica das células de memória, operação está denominada refresh da DRAM. Cada célula precisa ser recarregada decorridos de 2 a 10ms, ou a informação nela armazenada será perdida. A DRAM está dividida em:
- Fast Page Mode RAM (FPM RAM) - É o mais velho e menos sofisticado tipo de RAM, usada em micros 486 e Pentiums mais antigos, esse tipo de memória é encontrado em velocidades de 80, 70 e 60 ns. Os intervalos de espera desse tipo de memória (Wait States) não podem ser menores do que 5-3-3-3. E pode ser utilizada em velocidades de barramento de até 66 MHz.
- Extended Data Output RAM (EDO RAM)…
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